特許
J-GLOBAL ID：201703010111372539
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-146136
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225637
出願日： 2016年07月26日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
要約：
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上に設けられ第1の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第2の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に設けられた第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層に接し、前記第1の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層に接し、前記第2の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層及び前記第3の酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層と、を有し、
前記第1の酸化物半導体層及び前記第3の酸化物半導体層のバンドギャップは3eV以上であり、
前記第2の酸化物半導体層のバンドギャップは3eV未満である半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 27/146
, G09F 9/30
, H01L 27/32
H01L29/78 618E
, H01L29/78 618B
, H01L27/14 C
, G09F9/30 338
, G09F9/30 365
