特許
J-GLOBAL ID：200903045174981425

薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置

発明者：
板井 雄一郎

板井 雄一郎 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-076493
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231613
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ動作安定性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、アモルファス酸化物を含む膜厚3nm以上の抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物を含む活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間に、アモルファス酸化物を含み厚みが3nmを超える抵抗層を有し、前記活性層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップより小さいことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A
Fターム (49件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB08 ,  3K107CC21 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM