特許

J-GLOBAL ID：201703010269287296

III族窒化物複合基板およびその製造方法、積層III族窒化物複合基板、ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 柳澤 拓弥 ,  石橋 恵二 ,  上松 康二 ,  関 裕紀 ,  山本 喜之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-029125
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157982
特許番号：特許第6146042号
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 支持基板と、厚さが10μm以上250μm以下のIII族窒化物膜と、が貼り合わされた直径が75mm以上のIII族窒化物複合基板であって、 前記支持基板と前記III族窒化物膜との間に介在して、前記支持基板と前記III族窒化物膜とを接合する接合膜を備え、 前記接合膜は、厚さ分布が2%以上40%以下である、III族窒化物複合基板。

IPC (8件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/32 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-026215   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363269   出願人：日立電線株式会社
• GaN系結晶の製造方法および結晶成長用基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-123345   出願人：三菱電線工業株式会社