特許
J-GLOBAL ID：200903078685942245

GaN系結晶の製造方法および結晶成長用基材

発明者：
只友 一行

只友 一行 について

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岡川 広明

岡川 広明 について

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大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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常川 高志

常川 高志 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123345
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319545
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 GaN結晶薄膜をGaN系結晶成長の出発結晶として用いることが可能なGaN系結晶の製造方法と、そのための結晶成長用基材を提供すること。【解決手段】 溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ100μm以下のGaN系結晶薄膜(特にGaN結晶薄膜)1を、基板2上に接合し、該薄膜の一方の面1bをGaN系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にGaN系結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
単独の薄膜として形成された厚さ100μm以下のGaN系結晶薄膜が、基板上に接合され、該薄膜の一方の面がGaN系結晶を成長させるための出発面となっていることを特徴とする結晶成長用基材。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 D ,  H01L 33/00 C
Fターム (13件)：
5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F052KB06 ,  5F053AA03 ,  5F053BB27 ,  5F053DD20 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053RR03
引用特許：
審査官引用 (9件)
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