特許
J-GLOBAL ID：201703010584882160

半導体装置

発明者：
石津 貴彦

石津 貴彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112344
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008437
特許番号：特許第6166866号
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】論理回路と、第1の記憶回路と、第2の記憶回路と、プリチャージ回路と、を有し、 前記論理回路は、第1のノードと、第2のノードと、を有し、 前記第1の記憶回路は、第1のトランジスタと、第1の容量素子と、を有し、 前記第2の記憶回路は、第2のトランジスタと、第2の容量素子と、を有し、 前記第1のトランジスタは、チャネルに酸化物半導体を有し、 前記第2のトランジスタは、チャネルに酸化物半導体を有し、 前記第1の記憶回路は、前記第1のノードに対応した第1のデータを保持する機能と、前記第1の記憶回路に保持されている前記第1のデータを前記第1のノードに書き込む機能と、を有し、 前記第2の記憶回路は、前記第2のノードに対応した第2のデータを保持する機能と、前記第2の記憶回路に保持されている前記第2のデータを前記第2のノードに書き込む機能と、を有し、 前記プリチャージ回路は、前記第1の記憶回路に保持されている前記第1のデータを前記第1のノードに書き込む前、及び、前記第2の記憶回路に保持されている前記第2のデータを前記第2のノードに書き込む前に、プリチャージ電位を前記第1のノード及び前記第2のノードに供給する機能を有する半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 14/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 14/00 200 ,  H01L 27/105 441
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
  • 状態保持回路を具備する集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267432   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体薄膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258275   出願人：キヤノン株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-239730   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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