不純物拡散成分の拡散方法、及び太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-252535
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103164
特許番号：特許第6108781号
出願日： 2012年11月16日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の不純物拡散成分およびシロキサン化合物を有する無機基材成分を含む拡散剤組成物を塗布して半導体基板の表面上に第1導電型の不純物拡散成分を含む第1拡散剤層を形成する工程と、前記第1拡散剤層を400°C以上の温度且つ加湿条件下で焼成し、不純物拡散成分を含むシリカ系被膜を形成する工程と、前記半導体基板を焼成温度より高い温度で加熱して、前記半導体基板に第1導電型の不純物拡散成分を拡散させる工程と、を含むことを特徴とする不純物拡散成分の拡散方法。

IPC (3件)：