特許
J-GLOBAL ID：201703011091458772

太陽電池及びその製造方法

発明者：
チョン イント

チョン イント について

, 
ヤン チュホン

ヤン チュホン について

, 
リ ウンチュ

リ ウンチュ について

, 
ホ ミヒ

ホ ミヒ について


出願人/特許権者：
エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  南山 知広 ,  河合 章 ,  中村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-105972
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225627
出願日： 2016年05月27日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
要約：
【課題】高効率を持つ太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板の一面上にトンネリング層を形成する段階と、前記トンネリング層上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層に第1導電型を持つ第1導電型領域及び第2導電型を持つ第2導電型領域を含む導電型領域を形成する段階と、前記第1導電型領域に連結される第1電極及び第2導電型領域に連結される第2電極を含む電極を形成する段階とを含む。前記導電型領域を形成する段階は、前記半導体層上にマスク層を形成する段階と、レーザーを用いて、前記マスク層に前記第1導電型領域及び前記第2導電型領域の中で少なくとも一方または前記第1導電型領域及び第2導電型領域の中で一方に対応するドーピング開口部を形成する段階と、前記ドーピング開口部を用いてドーピングする段階を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一面上にトンネリング層を形成する段階と、 前記トンネリング層上に半導体層を形成する段階と、 前記半導体層に第1導電型を持つ第1導電型領域及び第2導電型を持つ第2導電型領域を含む導電型領域を形成する段階と、 前記第1導電型領域に連結される第1電極及び第2導電型領域に連結される第2電極を含む電極を形成する段階と、 を含み、 前記導電型領域を形成する段階は、 前記半導体層上にマスク層を形成する段階と、 レーザーを用いて、前記マスク層に前記第1導電型領域及び前記第2導電型領域の中で少なくとも一方に対応するドーピング開口部を形成する段階と、 前記ドーピング開口部を用いてドーピングする段階と、 を含む、太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/18 ,  H01L 31/021 ,  H01L 31/022 ,  H01L 31/074
FI (4件)：
H01L31/04 440 ,  H01L31/04 240 ,  H01L31/04 260 ,  H01L31/06 450
Fターム (16件)：
5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151DA10 ,  5F151DA20 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA06 ,  5F151HA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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