特許
J-GLOBAL ID：201703011289182012
炭化珪素半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-253917
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115337
特許番号：特許第6120756号
出願日： 2013年12月09日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型のSiC基板と、
前記SiC基板上に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表層に選択的に形成された第2導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域の表層に選択的に形成された第2導電型のウェルコンタクト領域と、
前記ウェル領域の表層において前記第2導電型のウェルコンタクト領域に隣接して形成され、前記エピタキシャル層との間の前記ウェル領域の表面をチャネル領域と規定する第1導電型の不純物領域と、
前記チャネル領域上に形成されたゲート酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、
隣接した前記不純物領域および前記ウェルコンタクト領域に対し一体的に接触する電極と、
を備え、
前記ウェルコンタクト領域は、前記電極との接触面に凹部を有し、
前記凹部は複数段の段差状である、
炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/266 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 652 D
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/44 S
, H01L 21/265 M
