特許
J-GLOBAL ID:201703011592494051
表示装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-193261
公開番号(公開出願番号):特開2017-016154
出願日: 2016年09月30日
公開日(公表日): 2017年01月19日
要約:
【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第1の課題とする。【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し、表示領域は、第1の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第2の薄膜トランジスタを有し、第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも1種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。【選択図】図7
請求項(抜粋):
第1のゲート電極を有する第1の薄膜トランジスタと、
第2のゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、を有し、
前記第1のゲート電極と電気的に接続された配線を有し、
前記配線と前記第1のゲート電極とは、前記第1の薄膜トランジスタのチャネル形成領域の外側に設けられた第1の接続部で電気的に接続し、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも1種を主成分とする導電層の単層構造でなり、
前記配線は、アルミニウムまたは銅を主成分とする層と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも1種を主成分とする層と、を有することを特徴とする表示装置。
IPC (4件):
G09F 9/30
, G02F 1/136
, H01L 51/50
, H01L 29/786
FI (5件):
G09F9/30 338
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 612C
Fターム (115件):
2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA25
, 2H092JA37
, 2H092JA40
, 2H092JA46
, 2H092JB42
, 2H092JB58
, 2H092JB66
, 2H092JB68
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA10
, 2H092MA30
, 2H192AA24
, 2H192BC42
, 2H192CB02
, 2H192CB13
, 2H192CC01
, 2H192CC02
, 2H192CC07
, 2H192CC32
, 2H192CC44
, 2H192DA12
, 2H192DA67
, 2H192EA22
, 2H192FA73
, 2H192FB02
, 2H192HA84
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC33
, 3K107CC42
, 3K107EE04
, 3K107HH04
, 3K107HH05
, 5C094AA14
, 5C094AA22
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094FB12
, 5C094HA08
, 5F110AA03
, 5F110AA08
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD06
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD24
, 5F110EE01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE08
, 5F110EE11
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE28
, 5F110EE37
, 5F110EE44
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG51
, 5F110GG55
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
, 5F110HJ30
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110HM12
, 5F110HM13
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN40
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP10
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ03
, 5F110QQ11
, 5F110QQ28
引用特許:
審査官引用 (10件)
-
薄膜トランジスタアレイ基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-125551
出願人:株式会社アドバンスト・ディスプレイ
-
特開平1-281434
-
特開平2-062052
-
特開平2-184824
-
特開平2-184824
-
薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-318756
出願人:日本電気株式会社
-
薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-026184
出願人:ソニー株式会社
-
多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-072675
出願人:株式会社東芝
-
特開平1-281434
-
特開平2-062052
全件表示
前のページに戻る