炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：内野春喜 , 内野雅子 , 内野春喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-073029
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207017
特許番号：特許第6089235号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】炭化珪素基板の裏面に、基板裏面を完全に被覆してしまわない厚みの第1の金属層を形成する工程と、該第1の金属層をマスクとして該炭化珪素基板の裏面をドライエッチングすることにより該炭化珪素基板の裏面に多数の孔を穿つ工程と、該第1の金属層上及び多数の孔を含む炭化珪素基板の裏面上にオーミック電極を構成する第2の金属層を形成する工程とを備え、前記第1の金属層は、Ni層、又はNiと、Ti、Zr、Hfから選定された少なくとも1種を含む合金層であり、前記基板裏面を完全に被覆してしまわない厚みは1nm〜50nmであることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：