特許
J-GLOBAL ID：200903036683889059

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
西川 恒一

西川 恒一 について

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前山 雄介

前山 雄介 について

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福田 祐介

福田 祐介 について

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清水 正章

清水 正章 について

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岩黒 弘明

岩黒 弘明 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205752
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032458
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 SiC基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n+型SiC層1の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたn+型SiC層1の露出面に電極9を形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
SiC基板の露出面の状態を荒らす工程と、 荒らされた前記露出面に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (1件)：
H01L29/48 D
Fターム (20件)：
4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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