特許

J-GLOBAL ID：201703012059558095

半導体装置の製造方法

発明者： 日向 裕一朗
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 阪本 朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025336
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154806
特許番号：特許第6107197号
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基板、該絶縁基板の裏面に固着した放熱板、および前記絶縁基板のおもて面に固着した回路パターンを備えたDCB(Direct Copper Bonding)基板と、該回路パターンに固着した半導体チップと、を内部部材として下部に備え、前記DCB基板よりも熱膨張係数が高いモールド樹脂で前記放熱板の底面が露出した状態で前記内部部材を内部に封止した半導体装置の製造方法において、 前記半導体装置を構成する内部部材を収納した金型に液状の封止樹脂を充填して封止体を形成し、 前記封止樹脂が離型可能な硬度に硬化した状態で前記封止体を金型から外し、 前記封止体の底面を上方が凸状となるよう矯正し、 その後、前記封止体の封止樹脂を完全硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 23/28 ( 200 6.01) ,  H01L 23/29 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/36 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-024542
  
• 特開昭56-098833
  
• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135368   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 樹脂封止形半導体装置の製造方法および治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-038710   出願人：関西日本電気株式会社