特許
J-GLOBAL ID：201703012125253608
CMP研磨パッドのための研磨くず除去溝
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-056833
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208530
出願日： 2017年03月23日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：
【課題】半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つを研磨又は平坦化する際、ウェーハ表面の欠陥を減らし、研磨パッドの耐用寿命を延ばす様な研磨パッド上の適正な溝パターンを提供する。【解決手段】研磨パッド200は、ポリマーマトリックスと、厚さと、研磨又は平坦化のための研磨層の作用領域を表す研磨トラックとを有する研磨層を含む。研磨トラックの平均供給断面積(δa)と平均排流断面積(ρa)が2*δa≦ρa≦8*δaとなるように設計する。これにより、半径方向排流溝216が研磨トラックを通って延び、研磨パッドの回転中、研磨くずを、半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つの下で、研磨トラックに通し、研磨トラックを越えさせて研磨パッドの周縁へと除去することを促進する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つを、研磨流体及び研磨パッドと前記半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つとの間の相対運動によって研磨又は平坦化するのに適した研磨パッドであって、
ポリマーマトリックス及び厚さを有する研磨層であって、中心、周縁、前記中心から前記周縁まで延びる半径及び前記中心を包囲し、前記半径と交差する研磨トラック(前記半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つを研磨又は平坦化するための前記研磨層の作用領域を表す)を含む研磨層と;
前記半径と交差する複数の供給溝(δ)であって、前記半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つを前記研磨パッド及び前記研磨流体で研磨又は平坦化するためのランドエリアを供給溝(δ)の間に有し、平均供給断面積(δa)(各供給溝の合計断面積を供給溝(δ)の総数で割ったもの)を有する複数の供給溝(δ)と;
前記研磨流体が前記複数の供給溝(δ)から少なくとも一つの半径方向排流溝(ρ)に流れることを許すための、前記複数の供給溝(δ)と交差する、前記研磨層中の少なくとも一つの半径方向排流溝(ρ)と、を含み、
前記少なくとも一つの半径方向排流溝(ρ)が平均排流断面積(ρa)を有し、
前記少なくとも一つの半径方向排流溝の前記平均排流断面積(ρa)が、
2*δa≦ρa≦8*δa
(式中、(nr)は半径方向溝の数を表し、(nf)は供給溝の数を表す)
及び
(0.15)nf*δa≦nr*ρa≦(0.35)nf*δa
にしたがって前記平均供給断面積(δa)よりも大きく、
前記少なくとも一つの半径方向排流溝(ρ)が前記研磨トラックを通過して延びて、前記研磨パッドの回転中、研磨くずを、前記半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つの下で、前記研磨トラックに通し、前記研磨トラックを越えさせて前記研磨パッドの前記周縁へと除去することを促進する、研磨パッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622F
, B24B37/26
3C158AA07
, 3C158AC04
, 3C158CA01
, 3C158CB01
, 3C158CB03
, 3C158CB10
, 3C158DA12
, 3C158DA17
, 3C158EB01
, 3C158EB06
, 3C158EB12
, 3C158EB28
, 5F057AA05
, 5F057AA25
, 5F057BA11
, 5F057BB40
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EB03
, 5F057EB07
, 5F057EB08
