特許
J-GLOBAL ID：200903012371356731
研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 山本 宗雄
, 後藤 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-348421
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156876
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 研磨レートの向上、スクラッチの低減、研磨量のウエハ面内でのバラツキを小さくし、研磨スラリの消費低減、更に被研磨体と研磨パッドとの間の適切なスラリの保持、研磨レートの適正値維持、被研磨体における研磨後の面内均一性の向上を図る。【解決手段】研磨面内に(a)互いに交差しない複数の閉じた形状を有する溝1、および(b)閉じた形状を有する溝と少なくとも1点で交わる複数の研磨屑排出溝2を有するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッド3であって、閉じた形状を有する溝の深さ(D1)と該研磨屑排出溝の深さ(D2)が以下の式:D1<D2で表される関係を満足する。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
研磨面内に
(a)互いに交差しない複数の閉じた形状を有する溝、および
(b)該閉じた形状を有する溝と少なくとも1点で交わる複数の研磨屑排出溝
を有するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドであって、
該閉じた形状を有する溝の深さ(D1)と該研磨屑排出溝の深さ(D2)が以下の式:
D1<D2
で表される関係を満足することを特徴とする研磨パッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622F
, B24B37/00 C
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058CB05
, 3C058DA12
, 3C058DA17
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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