特許

J-GLOBAL ID：201703012193419891

選択エミッタを有する光電池の製造方法

発明者： ベルトラン・パヴィエ-サロモン ,  サミュエル・ギャル ,  シルヴァイン・マヌエル
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-515249
特許番号：特許第6053764号
出願日： 2012年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】-p型シリコン基板(1)上にn型ドーパントを含む反射防止層(7)を堆積するステップであって、前記堆積は、前記基板(1)におけるn型ドーパント原子の拡散を促進することができる化合物の存在下で実施される、ステップと、 -前記反射防止層(7)の少なくとも1つの領域のnドーパントの局所拡散によって、前記基板(1)の少なくとも1つの領域をオーバードーピングし、少なくとも1つのn++オーバードープエミッタ(6)を形成するステップと、 -前記少なくとも1つのn++オーバードープエミッタ(6)上に少なくとも1つのn型導電材料(3)を堆積し、 前記反射防止層(7)を含む面とは反対の前記基板(1)の面上に少なくとも1つのp型導電材料(4)を堆積するステップと、 -前記反射防止層(7)からのnドーパントを前記基板内で拡散することができるアニールによって、n+エミッタ(5)の形成と同時にn接点(3)及びp接点(4)を形成するステップと、 を含む、選択エミッタを有する光電池の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 31/068 ( 201 2.01) ,  H01L 31/18 ( 200 6.01) ,  H01L 31/0216 ( 201 4.01) ,  H01L 21/22 ( 200 6.01) ,  H01L 21/225 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 31/06 300 ,  H01L 31/04 440 ,  H01L 31/04 240 ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/225 D ,  H01L 21/318 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-283172
  
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-322104   出願人：ソニー株式会社
• 太陽電池とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-067884   出願人：三星エスディアイ株式会社