特許
J-GLOBAL ID：200903011371328073

太陽電池とその製造方法

発明者：
朴 相▲ウク▼

朴 相▲ウク▼ について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (2件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-067884
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281448
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】半導体基板に十分量のドーパントを拡散させることによって、p-n接合特性を向上できる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板の一面に多孔性膜を形成する段階と、前記多孔性膜にドーパントを含有する化合物を噴射する段階と、前記ドーパントを拡散させて前記半導体基板の一面にエミッタ層を形成する段階を含む。かかる製造方法を用いることで、導体基板に十分量のドーパントを拡散させることが可能となり、太陽電池のp-n接合特性を向上できる。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
半導体基板の一面に多孔性膜を形成する段階と、 前記多孔性膜にドーパントを含有する化合物を噴射する段階と、 前記ドーパントを拡散させて、前記半導体基板の一面にエミッタ層を形成する段階と、 を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 X
Fターム (12件)：
5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051AA20 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB25 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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