特許
J-GLOBAL ID：201703012420164765

放熱基板およびそれを用いた半導体パッケージならびに半導体モジュール

発明者：
内田 剛生

内田 剛生 について

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木津 正二郎

木津 正二郎 について

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冨田 慎也

冨田 慎也 について

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上田 憲正

上田 憲正 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-035422
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152606
出願日： 2016年02月26日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】 放熱基板の反りを低減して、放熱性に優れた半導体パッケージおよび半導体装置を提供する。【解決手段】放熱基板100は、第1金属層1と、第1金属層1に接合された第2金属層2および第3金属層3と、第2金属層2に接合された第4金属層4と、第3金属層3に接合された第5金属層5とを含み、第2金属層2に複数の第1貫通孔2aが設けられ、第3金属層3に複数の第2貫通孔3aが設けられる。平面視で、複数の第1貫通孔2aの各々の図心と、複数の第2貫通孔3aの各々の図心とがずれている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1金属層と、 前記第1金属層の第1面に接合された第2金属層であって、厚み方向に貫通する複数の第1貫通孔が設けられた第2金属層と、 前記第1金属層の、前記第1面の反対側の第2面に接合された第3金属層であって、厚み方向に貫通する複数の第2貫通孔が設けられた第3金属層と、 前記第2金属層の、前記第1金属層の前記第1面に接合された面の反対側の面に接合された第4金属層と、 前記第3金属層の、前記第1金属層の前記第2面に接合された面の反対側の面に接合された第5金属層と、 前記複数の第1貫通孔、および前記複数の第2貫通孔に充填された金属部材と、を含み、 前記第1金属層、前記第4金属層、および前記第5金属層は、前記第2金属層、および前記第3金属層のヤング率よりも小さいヤング率を有し、 平面視で、前記複数の第1貫通孔の各々の図心と、前記複数の第2貫通孔の各々の図心とがずれていることを特徴とする放熱基板。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L23/36 C ,  H01L23/12 J
Fターム (7件)：
5F136BB05 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA04 ,  5F136FA75 ,  5F136GA12 ,  5F136GA17
引用特許：
出願人引用 (3件)

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