特許
J-GLOBAL ID：201703012887894570

消臭化粧料

発明者：
鞍本 克真

鞍本 克真 について

, 
河内 佑介

河内 佑介 について


出願人/特許権者：
株式会社ナリス化粧品

株式会社ナリス化粧品 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-084231
公開番号（公開出願番号）：特開2017-193504
出願日： 2016年04月20日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：
【課題】L-ヒスチジンの消臭効果及び安定性が特定の化合物との共存時の低下する現象を改善した化粧料の提供。【解決手段】次の成分(A)〜(C)を含有する洗浄用化粧料。(A)L-ヒスチジン、を0.01〜5%、(B)ピロ亜硫酸塩、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩から選択される1種以上を0.001〜1%、(C)サリチル酸、塩化ベンザルコニウム、トリクロサン、前記の誘導体及び塩、イソプロピルメチルフェノールから選択される1種以上【効果】L-ヒスチジンの成分(C)による消臭効果及び安定性の低下が、ピロ亜硫酸塩、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩を用いると改善できる。更にこれら3成分を組み合わせによって、製剤の経時安定化も相乗的に効果が上昇しこれにより、L-ヒスチジンを用いた消臭化粧料について、L-ヒスチジンの消臭効果及び安定性が特定の成分の配合時の低下を、防ぐ。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
次の成分(A)〜(C)、 (A)L-ヒスチジン (B)ピロ亜硫酸塩、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩から選択される1種又は2種以上 (C)サリチル酸、サリチル酸の誘導体及びサリチル酸の塩、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンザルコニウムの誘導体及び塩化ベンザルコニウムの塩、トリクロサン、トリクロサンの誘導体及びトリクロサンの塩、イソプロピルメチルフェノールから選択される1種又は2種以上 を含有する化粧料。
IPC (8件)：
A61K 8/23 ,  A61K 8/49 ,  A61K 8/368 ,  A61K 8/41 ,  A61K 8/34 ,  A61Q 15/00 ,  A61Q 19/10 ,  A61Q 5/02
FI (8件)：
A61K8/23 ,  A61K8/49 ,  A61K8/368 ,  A61K8/41 ,  A61K8/34 ,  A61Q15/00 ,  A61Q19/10 ,  A61Q5/02
Fターム (25件)：
4C083AB332 ,  4C083AB351 ,  4C083AB352 ,  4C083AC102 ,  4C083AC122 ,  4C083AC24 ,  4C083AC311 ,  4C083AC312 ,  4C083AC471 ,  4C083AC472 ,  4C083AC532 ,  4C083AC581 ,  4C083AC582 ,  4C083AC691 ,  4C083AC692 ,  4C083AC782 ,  4C083AC792 ,  4C083AD132 ,  4C083AD532 ,  4C083CC04 ,  4C083CC23 ,  4C083CC25 ,  4C083CC38 ,  4C083EE01 ,  4C083EE18
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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