特許
J-GLOBAL ID：201703012994826022
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-133003
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258258
特許番号：特許第6050034号
出願日： 2012年06月12日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、前記半導体基板上に選択的に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に選択的に設けられた第2の絶縁膜で全周囲を包囲された一対の空孔と、前記一対の空孔上の前記第2の絶縁膜の直上にそれぞれ設けられた対向する一対の第1の半導体層と、前記一対の第1の半導体層間に、対向する2側面をそれぞれ接して設けられた第2の半導体層と、前記第2の半導体層の残りの全周囲にゲート絶縁膜を介して、前記第1の絶縁膜上に設けられた、前記第2の半導体層を包囲している構造のゲート電極と、前記第1の半導体層に設けられたソースドレイン領域と、前記第2の半導体層に設けられたチャネル領域と、前記ソースドレイン領域及び前記ゲート電極に接続された配線体と、を備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 Z
