特許
J-GLOBAL ID：201703013098432038
誘電体基材表面の金属化方法及び金属膜付き誘電体基材
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
柳野 隆生
, 森岡 則夫
, 関口 久由
, 中川 正人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015055186
公開番号（公開出願番号）：WO2015-129675
出願日： 2015年02月24日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：
誘電体基材表面に、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して過酸化物ラジカルを生成し、グラフト化剤を反応させて銀イオンと配位結合する官能基を固定し、式(1)の銀化合物(A)10〜50質量%と式(2)のアミン化合物(B)50〜90質量%とを含む銀含有組成物を塗布し、加熱、硬化して銀薄膜層を形成する方法により、信号伝播速度の遅延や消費電力の増加がなく誘電体基材として適しているが、密着性が極めて低いフッ素樹脂の表面にも、高い密着性を有する金属膜を形成できる。【化1】(R1;水素、-(CY2)a-CH3又は-((CH2)b-O-CHZ)c-CH3、R2;-(CY2)d-CH3又は-((CH2)e-O-CHZ)f-CH3。Y;水素原子又は-(CH2)g-CH3、Z;水素原子又は-(CH2)h-CH3。a;0〜8の整数、b;1〜4の整数、c;1〜3の整数、d;1〜8の整数、e;1〜4の整数、f;1〜3の整数、g;1〜3の整数、h;1〜2の整数。)
請求項（抜粋）：
誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に過酸化物ラジカルを生成する工程、
前記過酸化物ラジカルが生成した基材表面にグラフト化剤を反応させて銀イオンと配位結合する官能基を固定する工程、
前記銀イオンと配位結合する官能基が固定された基材表面に、下記式(1)で表される銀化合物(A)と、下記式(2)で表されるアミン化合物(B)とを含む組成物であって、銀化合物(A)及びアミン化合物(B)の合計100質量%に対して銀化合物(A)を10〜50質量%及びアミン化合物(B)を50〜90質量%を含む銀含有組成物を塗布し、加熱、硬化することにより銀薄膜層を形成する工程、
よりなる誘電体基材表面の金属化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4K022AA13
, 4K022AA15
, 4K022AA16
, 4K022AA42
, 4K022BA01
, 4K022BA31
, 4K022CA12
, 4K022DA06
, 4K022DB19
