半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-246486
公開番号（公開出願番号）：特開2017-103462
出願日： 2016年12月20日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法によって酸化物半導体膜を形成する工程と、前記酸化物半導体膜上に接する領域を有するソース電極と、前記酸化物半導体上に接する領域を有するドレイン電極を形成する工程と、前記酸化物半導体上に接する領域と、前記ソース電極上に接する領域と、前記ドレイン電極上に接する領域とを有する酸化物絶縁膜を形成する工程と、前記酸化物絶縁膜を形成後、加熱処理を行う工程と、有し、前記スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、 SIMSにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度は、5×1016cm-3以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C04B 35/453 , C04B 35/01 , C04B 35/111 , H01L 21/363

FI (11件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , H01L29/78 618E , C23C14/08 K , C23C14/08 N , C23C14/34 A , C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/111 , H01L21/363

Fターム (42件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029GA01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103RR07 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB09 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110NN03 , 5F110NN40 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-209230 出願人：出光興産株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-198214 出願人：出光興産株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-215560 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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