特許
J-GLOBAL ID：201003063039047037

論理回路

発明者：
小山 潤

小山 潤 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
津吹 将志

津吹 将志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-244086
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135760
出願日： 2009年10月23日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】エンハンスメント型のトランジスタを用いた論理回路に酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することを課題とする。【解決手段】デプレッション型であるトランジスタ101と、エンハンスメント型であるトランジスタ102と、を有し、トランジスタ101及びトランジスタ102は、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、トランジスタ102は、第1の酸化物半導体層におけるソース電極及びドレイン電極の間の領域上に設けられた還元防止層と、を有する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース及びドレインの一方に高電源電圧が与えられ、ゲートとソース及びドレインの他方が電気的に接続されたデプレッション型トランジスタと、 ゲートに第1の信号が入力され、ソース及びドレインの一方が前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方に低電源電圧が与えられ、前記デプレッション型トランジスタとの接続箇所の電圧が第2の信号として出力されるエンハンスメント型トランジスタと、を有し、 前記デプレッション型トランジスタ及び前記エンハンスメント型トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられた第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域となる一対の第2の酸化物半導体層と、 前記ソース領域である前記第2の酸化物半導体層に接するソース電極と、 前記ドレイン領域である前記第2の酸化物半導体層に接するドレイン電極と、を有し、 前記エンハンスメント型トランジスタは、前記第1の酸化物半導体層における前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の領域上に還元防止層を有する論理回路。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/06
FI (11件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L27/08 311A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/06 102A
Fターム (108件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG16 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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