特許

J-GLOBAL ID：201703013672993728

半導体装置及びその製造方法

発明者： 徐 文 植 ,  遠藤 哲郎
出願人/特許権者： エスケーハイニックス株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人中川国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-246969
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096466
特許番号：特許第6095951号
出願日： 2012年11月09日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板から突出されて側壁に突出部を有するチャンネル膜と、 前記チャンネル膜を取り囲みながら前記突出部の間に形成されたフローティングゲートと、 前記フローティングゲートを取り囲みながら前記チャンネル膜に沿って積層されたコントロールゲートと、 前記積層されたコントロールゲートの間に介在された層間絶縁膜と、 を含み、 前記フローティングゲートの側面と前記突出部の側面とは段差を有し、 前記突出部は、金属膜または不純物がドープされたポリシリコン膜で形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ( 201 7.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190386   出願人：舛岡富士雄, シャープ株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-240949   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190386   出願人：舛岡富士雄, シャープ株式会社