特許
J-GLOBAL ID：201703013755562532

半導体装置の作製方法

発明者：
横井 智和

横井 智和 について

, 
徳丸 亮

徳丸 亮 について

, 
吉住 健輔

吉住 健輔 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-187951
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219851
出願日： 2016年09月27日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：
【課題】ソース電極とドレイン電極間の寄生抵抗が低減され、オン特性が改善された半導体装置を提供する。または、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】不純物元素が添加された酸化物半導体を含む導電性の酸化物膜に対して、当該酸化物膜の一部の領域における不純物元素を酸素と置換して高抵抗な半導体領域を形成する。そして不純物元素が酸素と置換されていない低抵抗領域をソース領域及びドレイン領域として用い、不純物元素が酸素と置換された高抵抗な半導体領域をチャネル形成領域として用いればよい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
酸化物層と、 ゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物層と重なるゲート電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、 前記酸化物層上に、絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜をエッチングして開口部を形成する際、前記酸化物層の上層をエッチングして、前記開口部における前記絶縁膜の端部には第1のテーパを形成し、かつ前記第1のテーパと連続した領域における前記酸化物層には第2のテーパを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618C
Fターム (76件)：
5F110AA03 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (3件)

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