特許
J-GLOBAL ID：201103093719785524

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262376
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135063
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、 前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の、前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、 を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、前記結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20
FI (7件)：
H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/20
Fターム (121件)：
5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN74 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA03 ,  5F152AA06 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD05 ,  5F152CD08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE43 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF22 ,  5F152FF26 ,  5F152FF30
引用特許：
出願人引用 (7件)
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