半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053119
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168675
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】半導体基板の薄化や半導体装置の製造に伴う半導体基板の反りを容易に制御することができること。【解決手段】半導体基板11の表面を研削または研磨して除去する工程と、除去を行った後の半導体基板11の裏面の加工表面に残留する加工歪層13の加工歪を解放させる工程と、を含む。記加工歪を解放する工程では、半導体基板11の表面側と裏面側に生じる反り量に対応して、半導体基板11の加工歪層13を部分的に解放させる。例えば、工歪を解放する工程は、半導体基板11の表面側と裏面側に生じる反り量に対応して、加工歪層13の一部の面域132に対し、レーザ光を照射して加工歪を解放させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を研削または研磨して除去する工程と、前記除去を行った後の前記半導体基板の裏面の加工表面に残留する加工歪層の加工歪を解放させる工程と、を含み、前記加工歪を解放する工程では、前記半導体基板の表面側と裏面側に生じる反り量に対応して、前記半導体基板の前記加工歪層を部分的に解放させる、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/268 E , H01L21/304 622P

Fターム (10件)：

5F057AA02 , 5F057BA12 , 5F057BB03 , 5F057BB09 , 5F057CA11 , 5F057CA25 , 5F057CA36 , 5F057DA01 , 5F057DA11 , 5F057DA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-006293 出願人：株式会社ディスコ
マイクロデバイス基板およびマイクロデバイス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-126431 出願人：住友電気工業株式会社
シリコン基板及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-262925 出願人：足立尚志

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