エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-006293
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165817
出願日： 2009年01月15日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】窒化物半導体層のエピタキシャル成長に用いるサファイア基板において、効率良く基板の反り形状及び/又は反り量を精密に制御することができ、且つ、成膜中に生じる基板の反りを抑制、それを用いて作製される窒化物半導体層成膜体、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体バルク基板及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板の内部に、前記サファイア基板の研磨面側を通してパルスレーザを集光し、走査し、前記パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成し、サファイア基板の反り形状及び/又は反り量を制御する。本発明により得られたサファイア基板を用いて窒化物半導体層を形成すると、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質及び均一性が向上し、窒化物半導体デバイスの品質及び歩留まりを向上させることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長により形成される結晶性膜の成膜に用いられる単結晶基板において、前記単結晶基板内部にパルスレーザによる多光子吸収を利用した改質領域パターンが形成されていることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C30B 29/38 , C30B 25/18 , H01L 21/205 , B23K 26/00

FI (5件)：

H01L21/20 , C30B29/38 D , C30B25/18 , H01L21/205 , B23K26/00 G

Fターム (51件)：

4E068CD01 , 4E068DA10 , 4E068DB11 , 4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045AF16 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LL13 , 5F152LM08 , 5F152LN03 , 5F152LN05 , 5F152MM01 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM11 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN15 , 5F152NN16 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第3250438号公報
サファイア基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-171839 出願人：住友金属鉱山株式会社
サファイア基板の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-181973 出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (6件)

固体撮像素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-272786 出願人：ソニー株式会社
レーザゲッタリング方法及び半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-065918 出願人：浜松ホトニクス株式会社
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-183476 出願人：浜松ホトニクス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Strain relaxation of pseudomorphic Si1-xGex/Si(100) heterostructures after hydrogen or helium ion i

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