特許
J-GLOBAL ID：201703013836842475

III族窒化物結晶製造方法及びRAMO4基板

発明者：
田代 功

田代 功 について

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片岡 秀直

片岡 秀直 について

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岡山 芳央

岡山 芳央 について

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横山 信之

横山 信之 について

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鷹巣 良史

鷹巣 良史 について


出願人/特許権者：
パナソニックIPマネジメント株式会社

パナソニックIPマネジメント株式会社 について


代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-210878
公開番号（公開出願番号）：特開2017-178766
出願日： 2016年10月27日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：
【課題】III族窒化物の製造においてRAMO4基板を容易に再利用すること。【解決手段】一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなり、側部に切り欠きを有するRAMO4基板を準備する工程と、前記RAMO4基板上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、前記切り欠きを起点に前記RAMO4基板を劈開させる工程と、を有する、III族窒化物結晶製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなり、側部に切り欠きを有するRAMO4基板を準備する工程と、 前記RAMO4基板上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 前記切り欠きを起点に前記RAMO4基板を劈開させる工程と、を有する、III族窒化物結晶製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34
Fターム (22件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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