特許
J-GLOBAL ID：201703013853305904
量子ドット増感型太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117696
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201107
特許番号：特許第6054062号
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電層を有する基板に形成された酸化物半導体層と該酸化物半導体層上に形成されセレンを含む半導体量子ドットとを有する光電極を備えた量子ドット増感型太陽電池の製造方法において、
前記半導体量子ドットを生成する工程と、
前記半導体量子ドットを分散させた分散液を作製する工程と、
前記酸化物半導体層が形成された基板を前記分散液に接触させる工程とを有し、
前記半導体量子ドットを生成する工程は、
前記半導体量子ドットを構成するセレン以外の量子ドット構成元素を含む化合物と、アミン系界面活性剤を含む溶媒と、ホスフィン系界面活性剤からなる反応緩和剤とを含有する混合液を作製し、当該混合液にセレノウレアを溶解し、当該混合液を加熱することにより前記半導体量子ドットを生成し、
前記生成した半導体量子ドットを含む混合液にチオール系界面活性剤を加え、前記半導体量子ドットに吸着した前記アミン系界面活性剤と前記チオール系界面活性剤とを置換させる工程である
ことを特徴とする量子ドット増感型太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01G 9/20 113 Z
, H01G 9/20 107 B
, H01G 9/20 107 A
