特許

J-GLOBAL ID：201703014362994267

量子カスケードレーザ

発明者： 杉山 厚志 ,  枝村 忠孝 ,  秋草 直大
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  石田 悟
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-223262
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088517
特許番号：特許第6163080号
出願日： 2013年10月28日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで前記量子井戸発光層と前記注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって波長7μm以上の光を生成する活性層とを備え、 前記半導体基板を含む基体部と、前記活性層を含んで前記基体部上に設けられ、前記活性層で生成される所定波長の光に対するレーザ共振器構造における共振方向にストライプ状に延びるリッジ部とを有して構成され、 前記共振方向において互いに対向する第1端面及び第2端面のうちで少なくとも前記第1端面上に、前記活性層の端部を含む前記リッジ部のリッジ端面上から前記基体部の基体端面上にわたって反射制御膜が形成されているとともに、 前記基体端面上において、前記基体端面の前記リッジ部側の第1辺、前記第1辺に隣接する第2辺、第3辺、及び前記第1辺に対向する第4辺について、前記第2辺から所定幅の領域、前記第3辺から所定幅の領域、及び前記第4辺から所定幅の領域を除く領域に、前記反射制御膜が形成されており、 前記反射制御膜は、低屈折率膜と、高屈折率膜とが交互に積層された多層膜であり、 前記反射制御膜は、その周縁部において膜厚が減少する断面形状に形成されているとともに、前記基体端面上から前記基体部の上面上に、及び前記リッジ端面上から前記リッジ部の上面上、両側面上にそれぞれ回り込むように付加的に形成された付加膜部を有することを特徴とする量子カスケードレーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ( 200 6.01) ,  H01S 5/34 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 量子カスケードレーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-181502   出願人：独立行政法人情報通信研究機構
• 特開平1-152788
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-360481   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178398   出願人：富士通株式会社