特許
J-GLOBAL ID：201703014394258066
シリコン試料の炭素濃度測定方法、シリコン単結晶インゴットの製造方法、シリコン単結晶インゴットおよびシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-078579
公開番号（公開出願番号）：特開2017-191800
出願日： 2016年04月11日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
要約：
【課題】電子線照射処理を要することなく、SIMS法と同等またはSIMS法を超える感度でシリコン試料の炭素を定量するための新たな手段を提供すること。【解決手段】測定対象シリコン試料に水素原子を導入すること、前記水素原子を導入した測定対象シリコン試料を、電子線照射処理を行うことなく、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、前記評価により得られた評価結果の中で、Ec-0.10eV、Ec-0.13eVおよびEc-0.15eVからなる群から選ばれる少なくとも1つのトラップ準位における評価結果に基づき、前記測定対象シリコン試料の炭素濃度を求めること、を含み、前記求められる炭素濃度は1.0E+16atoms/cm3未満である、シリコン試料の炭素濃度測定方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
測定対象シリコン試料に水素原子を導入すること、
前記水素原子を導入した測定対象シリコン試料を、電子線照射処理を行うことなく、シリコンのバンドギャップ中のトラップ準位を評価する評価法による評価に付すこと、
前記評価により得られた評価結果の中で、Ec-0.10eV、Ec-0.13eVおよびEc-0.15eVからなる群から選ばれる少なくとも1つのトラップ準位における評価結果に基づき、前記測定対象シリコン試料の炭素濃度を求めること、
を含み、前記求められる炭素濃度は1.0E+16atoms/cm3未満である、シリコン試料の炭素濃度測定方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/66 N
, C30B29/06 A
, C30B29/06 502H
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EH06
, 4G077GA01
, 4G077GA07
, 4G077HA12
, 4G077PF52
, 4M106AA01
, 4M106CA29
, 4M106CA56
, 4M106CB01
, 4M106DH55
, 4M106DH60
, 4M106DJ20
, 4M106DJ27
