特許

J-GLOBAL ID：201503028718663053

シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法、及び、半導体デバイスの製造方法

発明者： 竹野 博
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-252981
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111615
出願日： 2013年12月06日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：

【課題】シリコン単結晶の製造工程や半導体デバイスの製造工程において混入する炭素の濃度を高精度で評価する方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶中に格子間シリコン(I)を導入する第1の工程S11と、第1の工程により発生するIクラスターの濃度を測定する第2の工程S12と、第2の工程により測定されたIクラスターの濃度から、シリコン単結晶中の炭素濃度を評価する第3の工程S13とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶に含まれる炭素濃度を評価する方法であって、 前記シリコン単結晶中に格子間シリコン(I)を導入する第1の工程と、 前記第1の工程により発生するIクラスターの濃度を測定する第2の工程と、 前記第2の工程により測定された前記Iクラスターの濃度から、シリコン単結晶中の炭素濃度を評価する第3の工程と を含むことを特徴とするシリコン単結晶中の炭素濃度評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/66

FI (3件)：

H01L21/66 L ,  G01N21/00 B ,  G01N21/66

Fターム (19件)：

2G043AA01 ,  2G043BA07 ,  2G043EA01 ,  2G043EA11 ,  2G043FA06 ,  2G043KA01 ,  2G043KA09 ,  2G043NA01 ,  2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059EE07 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059MM01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA18 ,  4M106CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-011823   出願人：三菱電機株式会社
• 飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-044619   出願人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
• 半導体基板の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-279207   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体シリコンウェーハ中のCu汚染評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-232596   出願人：信越半導体株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Photoluminescence signature of silicon intersitial cluster evolution from compact to extended struct