特許
J-GLOBAL ID：201603004904245913
シリコン結晶の炭素濃度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
張川 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-243768
公開番号（公開出願番号）：特開2016-108159
出願日： 2014年12月02日
公開日（公表日）： 2016年06月20日
要約：
【課題】DLTS法を用いてシリコン結晶の炭素濃度を測定するシリコン結晶の炭素濃度測定方法を提供する。【解決手段】シリコン結晶のH-C又はH-C-O複合体に起因する3つの深い不純物準位E1〜E3の合算密度D1を第1シリコン結晶からDLTS法で測定する。その合算密度D1の測定値を第1シリコン結晶の炭素濃度C1で除法した値を指標値(D1/C1)とする。そして、含有する炭素濃度C2を測定するための第2シリコン結晶を用意する。用意した第2シリコン結晶の不純物準位E1〜E3の合算密度D2を測定し、その測定値を先の指標値(D1/C1)で除法して第2シリコン結晶の炭素濃度C2を算出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン結晶の深い不純物準位のうちH-C及びH-C-O複合体の両準位の密度を合算した合算密度を第1シリコン結晶からDLTS法で測定し、その測定値を前記第1シリコン結晶の炭素濃度で除法して指標値とし、
含有する炭素濃度を測定する第2シリコン結晶の前記合算密度を前記DLTS法により測定した値を前記指標値で除法して前記第2シリコン結晶の炭素濃度を算出することを特徴とするシリコン結晶の炭素濃度測定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077GA01
, 4G077GA07
, 4G077NA05
, 4G077PB05
