特許

J-GLOBAL ID：201703014399307979

薄膜熱電素子

発明者： 麻谷 崇史 ,  前川 和也 ,  柴田 誠
出願人/特許権者： TDK株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-027517
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147311
出願日： 2016年02月17日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

【課題】p型半導体薄膜およびn型半導体薄膜それぞれの本来有すべき性能を積層段階で損なわず適用が可能な薄膜熱電素子を提供すること。【解決手段】薄膜熱電素子は、一対のp型半導体薄膜14とn型半導体薄膜20とが、p型半導体薄膜14及びn型半導体薄膜20のそれぞれの膜面内方向の両端である第1端部と第2端部のうちの少なくともいずれか一方の端部側で電気的に接続され、一対のp型半導体薄膜14とn型半導体薄膜20とが膜厚方向で積層され、p型半導体薄膜14とn型半導体薄膜20との境界面全面に、膜面内方向に一様な材料から構成される境界膜20Aを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一対以上のp型半導体薄膜とn型半導体薄膜とが、前記p型半導体薄膜及び前記n型半導体薄膜のそれぞれの膜面内方向の両端である第1端部と第2端部のうちの少なくともいずれか一方の端部側で電気的に接続され、 前記一対以上のp型半導体薄膜とn型半導体薄膜とが膜厚方向で積層され、 前記p型半導体薄膜と前記n型半導体薄膜との境界面全面に、膜面内方向に一様な材料から構成される境界膜を備えていることを特徴とする薄膜熱電素子。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/14

FI (3件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H01L35/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超格子熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-356574   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 熱電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-040017   出願人：株式会社関西新技術研究所
• 熱電モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-039476   出願人：日本特殊陶業株式会社