特許

J-GLOBAL ID：201703014739139006

有機電界効果トランジスタ

発明者： 武田 広大 ,  加藤 哲弥 ,  竹谷 純一 ,  岡本 敏宏
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-021803
公開番号（公開出願番号）：特開2017-143097
出願日： 2016年02月08日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：

【課題】印刷により簡単に形成でき、高移動度を実現するのに適した有機半導体膜を備える有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】一面11側にゲート電極を備える基板10の当該一面11上に、ゲート絶縁膜20、ソース電極40、ドレイン電極50および有機半導体膜30よりなるトランジスタ素子100を設けてなる有機電界効果トランジスタS1であって、有機半導体膜30は、有機半導体材料の単分子膜を2層、3層または4層にて積層してなる結晶膜であり、有機半導体材料は、分子量1000以下であり、2つのアルキル基を有するカルコゲン含有ポリアセン化合物であって、それぞれのアルキル鎖の炭素数が、ポリアセンの環の数よりも少ないカルコゲン含有ポリアセン化合物を主成分とするものであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一面(11)側にゲート電極(60)を備える基板(10)の当該一面上に、ゲート絶縁膜(20)、ソース電極(40)、ドレイン電極(50)および有機半導体膜(30)よりなるトランジスタ素子(100)を設けてなる有機電界効果トランジスタであって、 前記有機半導体膜は、有機半導体材料の単分子膜を2層、3層または4層にて積層してなる結晶膜であり、 前記有機半導体材料は、分子量1000以下であり、2つのアルキル基を有するカルコゲン含有ポリアセン化合物であって、それぞれのアルキル鎖の炭素数が、ポリアセンの環の数よりも少ないカルコゲン含有ポリアセン化合物を主成分とするものであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  C07D 495/04

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 250H ,  C07D495/04 101

Fターム (36件)：

4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071DD40 ,  4C071EE22 ,  4C071FF32 ,  4C071GG01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シロキサン系分子膜、その製造方法及びその膜を用いた有機デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-342110   出願人：シャープ株式会社
• 有機半導体トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-194094   出願人：日本電気株式会社