特許

J-GLOBAL ID：201703014954636428

半導体結晶の製造方法

発明者： 鈴木 聡 ,  佐藤 賢一 ,  中澤 慶一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-244658
公開番号（公開出願番号）：特開2015-101521
特許番号：特許第6152784号
出願日： 2013年11月27日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 溶融帯域にドーパントガスを吹き付けながら、電気抵抗率を制御しつつ半導体結晶の直胴部を形成する工程を含むFZ法による半導体結晶の製造方法において、 予め、前記直胴部形成工程中に、電気抵抗率に影響する複数のパラメータを測定し、製造した半導体結晶の電気抵抗率を測定し、前記電気抵抗率に対する前記複数のパラメータの影響を多変量解析し、該多変量解析の結果に基づいて、装置毎にドーパント供給量調整係数を求め、次に、同一装置でFZ法で半導体結晶を製造する際、前記求めたドーパント供給量調整係数に応じて、前記直胴部形成工程中にドーパント供給量を調整することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 13/12 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/06 501 A ,  C30B 13/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• FZ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-069823   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶の製造システム及びシリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-405929   出願人：信越半導体株式会社