特許
J-GLOBAL ID：200903080471335729
FZ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-069823
公開番号（公開出願番号）：特開2009-221079
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】1本の結晶棒の成長軸方向全体にわたって電気抵抗率がほぼ一定であるか、軸方向プロファイルを有する結晶が取得可能なFZ法による半導体結晶の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】濃厚ドーパントガス供給手段24から供給された濃厚ドーパントガスをArガス供給手段22から供給されたArガスで希釈した混合ドーパントガスを混合ドーパントガス供給手段20によりチャンバー11内に供給するように構成され、さらに、結晶製造条件を制御する結晶製造条件制御手段26と、結晶成長状態を検出する検出手段27と、各制御手段に信号を与えるコントローラ28を備えたFZ法による半導体結晶製造装置1において、原料半導体棒14と晶出側半導体棒9との間に溶融帯域を形成し、直胴部を形成する工程中に、前記検出手段27により検出された結晶成長状態の変化に応じて、前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、原料半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、該種結晶から成長させる晶出側半導体棒を所望の直径まで拡径させながら成長させてコーン部を形成する工程と、前記原料半導体棒と前記晶出側半導体棒との間に溶融帯域を形成して、前記晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、前記晶出側半導体棒の直径を縮径させて該晶出側半導体棒を前記原料半導体棒から切り離す工程を含むFZ法による半導体結晶の製造方法において、前記直胴部形成工程中に、結晶成長状態の変化に応じて前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B13/08
, C30B29/06 501A
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EB04
, 4G077HA12
, 4G077NA05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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