特許
J-GLOBAL ID：200903056698798760

シリコン単結晶の製造システム及びシリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶

発明者：
飯田 誠

飯田 誠 について

, 
柳町 隆弘

柳町 隆弘 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405929
公開番号（公開出願番号）：特開2005-162558
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】単結晶の直胴部全長にわたり目標の結晶品質となる最適製造条件を設計する際の作業負担の軽減と設計時間の短縮を可能とし、且つ不適切な製造条件の設計による不良品発生を防止することによって、目標とする低欠陥結晶の生産性、歩留りの向上を実現するシリコン単結晶の製造システム及び製造方法並びにシリコン単結晶を提供する。【解決手段】CZ法を用いた引上げ装置によって製造されるシリコン単結晶の結晶品質を目標規格内とするために、品質特性に影響する複数の製造条件を設計する製造システムであって、少なくとも、製造条件における設定と実績及び結晶品質における目標規格と実績のデータをデータベースに取り込む手段と、前記取り込まれたデータを突き合わせてデータ処理する手段と、前記実績データに基づいて製造条件を自動的に算出する手段とを具備するシリコン単結晶の製造システム。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法を用いた引上げ装置によって製造されるシリコン単結晶の結晶品質を目標規格内とするために、品質特性に影響する複数の製造条件を設計する製造システムであって、少なくとも、製造条件における設定と実績及び結晶品質における目標規格と実績のデータをデータベースに取り込む手段と、前記取り込まれた製造条件における設定と実績及び結晶品質における目標規格と実績のデータを突き合わせてデータ処理する手段と、前記実績データに基づいて、次に引上げるシリコン単結晶の製造条件を自動的に算出する手段とを具備していることを特徴とするシリコン単結晶の製造システム。
IPC (2件)：
C30B29/06 ,  C30B15/20
FI (2件)：
C30B29/06 502H ,  C30B15/20
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077EA04 ,  4G077EH04 ,  4G077EH06 ,  4G077EH07 ,  4G077EH08 ,  4G077EH09 ,  4G077PF15 ,  4G077PF16 ,  4G077PF17 ,  4G077PF51
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3460551号公報
審査官引用 (10件)
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