特許

J-GLOBAL ID：201703014992502206

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-160955
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204659
出願日： 2017年08月24日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
要約：

【課題】良好なトランジスタ特性を有する、酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する、また、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、および側面および上面に側壁絶縁膜が設けられたゲート電極が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜にエッチング処理を施し、チャネル長方向の長さが異なるように十字状、またはソース電極およびドレイン電極よりもチャネル幅方向の長さが長くなるように形成する。また、酸化物半導体膜に接するようにソース電極およびドレイン電極を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に導電層と、 前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層と、を有し、 前記第2の絶縁層は、前記導電層の上面及び側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10

FI (15件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617J ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/088 H ,  H01L27/088 E ,  H01L27/108 671Z ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/108 621Z ,  H01L27/108 681B ,  H01L27/108 681F ,  H01L27/108 321 ,  H01L27/10 461

Fターム (156件)：

5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BD01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048CB01 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB10 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA26 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA44 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA05 ,  5F083LA00 ,  5F083LA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA21 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA17 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F110AA06 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-277272   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクスディスプレイ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-503639   出願人：シャープ株式会社