特許

J-GLOBAL ID：201103014915179830

薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクスディスプレイ

発明者： ギャレス ニコラス ,  ベンジャミン ジェームス ハドウェン ,  スナイ シャー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-503639
公開番号（公開出願番号）：特表2011-518434
出願日： 2009年04月20日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

薄膜トランジスタが、絶縁基板上の半導体アイランド内に形成される。このトランジスタは、第1の伝導型のソース(1502)およびドレイン(1504)と、逆の第2の伝導型のチャネル(1508)とを備えている。チャネルは、1つまたは複数の絶縁ゲート(1510)と重なっており、分離ダイオードを備えている。各分離ダイオードは、低濃度にドープされた第1の領域(1506)と、高濃度にドープされ、第2の伝導型である第2の領域(1512)とを備えている。ダイオードは、絶縁ゲート(1510)とは重なっていない。第1の領域(1506)および第2の領域(1512)は、隣接するソースまたはドレインの長さよりも短い距離だけ、チャネル(1508)から延びている。低濃度にドープされた領域(1506)は、ソースまたはドレインから延びており、高濃度にドープされた領域(1512)は、低濃度にドープされた領域から延びているため、第1の領域(1506)および第2の領域(1512)は、トランジスタの主要伝導経路に直角の方向においては、隣接するソースまたはドレインとpn接合を形成するが、主要伝導経路に平行な方向においては形成しない。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に配置された半導体材料からなるアイランド内に形成された薄膜トランジスタであって、 第1の伝導型および第1のドーピング濃度のソース領域と、 上記第1の伝導型および第2のドーピング濃度のドレイン領域と、 上記ソース領域と上記ドレイン領域との間を、主要伝導経路に平行である第1の方向に延び、上記第1の伝導型の逆である第2の伝導型および上記第1のドーピング濃度および上記第2のドーピング濃度よりも低い第3のドーピング濃度の第1のチャネルと、 上記第1の方向に実質的に直角である第2の方向に延びると共に上記第1のチャネルと実質的に重なっている第1の絶縁ゲートと、 上記第1の絶縁ゲートと実質的に重なっていない第1の分離ダイオードとを備え、 上記第1の分離ダイオードは、上記第1のドーピング濃度および上記第2のドーピング濃度よりも低い第4のドーピング濃度の第1の領域と、上記第2の伝導型および上記第4のドーピング濃度よりも高い第5のドーピング濃度の第2の領域とを備え、 上記第1の領域は、上記第1のチャネルから上記第1の方向に、上記ドレイン領域の上記第1の方向における長さよりも短い距離を延びると共に、上記ドレイン領域の第1の端部から上記第2の方向に延びており、 上記第2の領域は、上記第1のチャネルから上記第1の方向に、上記ドレイン領域の上記第1の方向における長さよりも短い距離を延びると共に、上記第1の領域から上記第2の方向に延び、 上記第1の領域および上記第2の領域は、上記第2の方向において上記ドレインとpn接合を形成し、上記第1の方向においては上記ドレインとpn接合を形成しないことを特徴とするトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134

FI (9件)：

H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 617N ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345

Fターム (36件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA15 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG37 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN63 ,  5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-210631   出願人：株式会社東芝
• MIS電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086757   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-358332   出願人：株式会社東芝
• 表示素子基板用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-317343   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタを備えた装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-304036   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置、半導体ゲートアレイおよび電気光学装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089579   出願人：セイコーエプソン株式会社