特許

J-GLOBAL ID：201703015131641732

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 森 隆弘
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-167933
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045884
出願日： 2015年08月27日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：

【課題】LDMOSを有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】ソース領域SRおよびドレイン領域DRと、チャネル形成領域CHと、チャネル形成領域CHとドレイン領域DRとの間のドレイン絶縁領域STIdと、ゲート電極GEと、を有するように半導体装置を構成する。そして、ドレイン絶縁領域STIdは、活性領域AAが露出したスリットを有し、このスリットは、ドレイン絶縁領域STIdの中央よりチャネル形成領域CH側に配置されている。そして、この活性領域AAをn型の半導体領域NRとする。かかる構成によれば、ドレイン絶縁領域STIdのチャネル形成領域CH側(ソース領域SR側)の電界を緩和することができる。これにより、発生するホットキャリア(ホットエレクトロン、ホットホール)を減らすことができ、HCI特性を改善することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層中に離間して形成されたソース領域およびドレイン領域と、 前記ソース領域およびドレイン領域との間に位置するチャネル形成領域と、 前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層中に形成された絶縁領域と、 前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成され、前記絶縁領域上まで延在するゲート電極と、 を有し、 前記絶縁領域は、活性領域が露出したスリットを有し、 前記スリットは、前記絶縁領域の中央より前記チャネル形成領域側に配置されている、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (3件)：

H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/06 301F

Fターム (44件)：

5F140AA23 ,  5F140AA30 ,  5F140AC01 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB12 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF54 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BH04 ,  5F140BH05 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK03 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK37 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CD02 ,  5F140CD09 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-170255   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-014270   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-256844   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社