特許
J-GLOBAL ID：201703015149437016
非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、その薄膜トランジスタを含むディスプレイパネル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
村山 靖彦
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-073363
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209557
特許番号：特許第6099314号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 非晶質酸化物薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記非晶質酸化物薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極とドレイン電極を含み、前記方法は、
オーミック接触層と、前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高いチャネル層とをそれぞれ作成し前記半導体活性層を形成するステップaを含み、
前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、
更に、ステップaが完了したベース基板上に絶縁材料からなるエッチング保護薄膜を形成し、パターニングによりエッチング保護層を形成するステップb11と、
ソース、ドレイン金属薄膜を形成し、パターニングによりソース電極とドレイン電極を形成するステップb12であって、前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接するステップb12とを含むステップbを含む、非晶質酸化物薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 F
, H01L 21/28 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/50 M
, G02F 1/136
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 616 U
, G09F 9/30 338
, G09F 9/00 338
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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