特許
J-GLOBAL ID：201103081196464593

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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西田 恵里子

西田 恵里子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-174109
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054946
出願日： 2010年08月03日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】半導体装置の開口率を向上させる。【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第1の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第2の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、 前記第1の薄膜トランジスタは、基板上に第1のゲート電極層と、 前記第1のゲート電極層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、 前記第1のソース電極層又は前記第1のドレイン電極層上の一部と接する導電層と、 前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記第1のソース電極層、及び前記第1のドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、 前記保護絶縁層上に前記導電層と電気的に接続された画素電極層とを有し、 前記第1の薄膜トランジスタの前記第1のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記第1のソース電極層、前記第1のドレイン電極層、前記保護絶縁層、及び前記画素電極層は透光性を有し、 前記第2の薄膜トランジスタの第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層は、前記第1の薄膜トランジスタの前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層と材料が異なり、前記第1の薄膜トランジスタの前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 612B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368
Fターム (118件)：
2H092GA44 ,  2H092GA48 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA31 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA26 ,  2H092MA41 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA11 ,  5C094AA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094FB20 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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