特許
J-GLOBAL ID：201703015201322796
電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鈴野 幹夫
, 渡辺 和昭
, 西田 圭介
, 仲井 智至
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-126341
公開番号（公開出願番号）：特開2015-001635
特許番号：特許第6201442号
出願日： 2013年06月17日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板上に形成され、第1画素電極を含む第1の画素と、
前記第1の画素に隣り合い、第2画素電極を含む第2の画素と、
前記第1の画素及び第2の画素に隣り合い、第3画素電極を含む第3の画素と、を有し、
前記第1の画素、前記第2の画素及び前記第3の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、発光層を含む機能層とを含み、
前記機能層は、前記第1の画素、前記第2の画素及び前記第3の画素に亘って連続的に設けられ、
前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第1絶縁層、第2絶縁層、第3絶縁層を含み、前記第1画素電極は前記第1絶縁層上に形成され、前記第2画素電極は前記第2絶縁層上に形成され、前記第3画素電極は前記第3絶縁層上に形成され、
段差構造が、前記第1画素電極と前記第2画素電極の間、前記第2画素電極と前記第3画素電極の間、前記第3画素電極と前記第1画素電極の間に設けられ、
前記段差構造は、少なくとも前記第2絶縁層及び前記第3絶縁層を貫通して形成された凹部であることを特徴とする電気光学装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/12 ( 200 6.01)
, H05B 33/24 ( 200 6.01)
, H05B 33/22 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
G09F 9/30 348 A
, G09F 9/30 365
, G09F 9/30 338
, H05B 33/14 A
, H05B 33/12 B
, H05B 33/24
, H05B 33/22 Z
, H05B 33/10
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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