特許
J-GLOBAL ID：201703015399987275
受光デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人ハートクラスタ
, 渡辺 征一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-004879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138036
特許番号：特許第6112472号
出願日： 2013年01月15日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 pn接合を有する画素が配列された受光デバイスを製造する方法であって、
半導体基板の上に、受光層を形成する工程と、
前記受光層の上に、キャップ層を、(A1)コンタクト層とその下の濃度調整層との2層で、または(A2)コンタクト層の1層で、形成し、該コンタクト層には前記画素ごとに電極がオーミック接触するように不純物をドープし、
前記画素ごとに該画素の領域を取り囲んで、前記受光層の上端近傍まで到達するようにメサ構造の溝を設ける工程と、
前記メサ構造形成工程の後、前記メサ構造を被覆する保護膜を形成する工程と、
前記保護膜形成工程の後、アニールする工程を備え、
該アニール工程で、前記溝で取り囲まれた前記画素の領域ごとの前記コンタクト層から不純物を拡散させ、前記pn接合を、前記画素の領域ごとに前記コンタクト層から連続する不純物領域の先端として、前記受光層内もしくは受光層とその上層との界面に、位置させることを特徴とする、受光デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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