特許
J-GLOBAL ID：201703015580197596
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-017344
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139262
出願日： 2016年02月01日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：
【課題】信頼性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第1導電形の第3半導体領域と、第1絶縁部と、第1電極と、ゲート電極と、第2絶縁部と、第2電極と、第3電極と、第4電極と、を有する。第1半導体領域は、第1領域と、第1領域の周りに設けられた第2領域と、を有する。第1電極は、第1絶縁部に囲まれている。ゲート電極は、第1絶縁部に囲まれ、第1電極の上に位置している。第2電極は、第2絶縁部に囲まれている。第2電極は、第1方向において第1半導体領域と並ぶ。第3電極は、第2絶縁部に囲まれ、第2電極の上に位置している。第4電極は、第3半導体領域、第2電極、および第3電極と電気的に接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1領域と、前記第1領域の周りに設けられた第2領域と、を有する第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に選択的に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第1領域の上に設けられた第1絶縁部と、
前記第1絶縁部に囲まれ、前記第1領域から前記第2領域に向かう第1方向において、前記第1半導体領域と並ぶ第1電極と、
前記第1絶縁部に囲まれ、前記第1電極の上に位置し、前記第1方向において前記第2半導体領域と並ぶゲート電極と、
前記第2領域の上に設けられた第2絶縁部と、
前記第2絶縁部に囲まれ、前記第1方向において前記第1半導体領域と並ぶ第2電極と、
前記第2絶縁部に囲まれ、前記第2電極の上に位置する第3電極と、
前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域、前記第2電極、および前記第3電極と電気的に接続された第4電極と、
を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 652L
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658G
, H01L29/06 301F
, H01L29/06 301V
