金属-二次元物質-半導体の接合を含む半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：阿部達彦 , 実広信哉 , 崔允辰 , 木内敬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-076416
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219788
出願日： 2016年04月06日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】金属-二次元物質-半導体の接合を含む半導体素子を提供する。【解決手段】金属と半導体との間に二次元結晶構造を有する二次元物質層を介在させることによって接触抵抗を低下させた半導体素子に係り、該半導体素子は、半導体層、半導体層に電気的に接触する金属層、及び半導体層と金属層との間に配置されたものであり、二次元結晶構造を有する二次元物質層を含んでもよい。該二次元物質層は、トンネリング電流を介して、金属と半導体との間の電流フローを円滑にさせることによって、半導体層と金属層との間の接触抵抗を低減させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型にドーピングされたウェル領域、及び第1導電型と電気的に相反する第2導電型にドーピングされた、ソース領域及びドレイン領域を具備する半導体層と、前記半導体層に電気的に接触する金属層と、前記半導体層と金属層との間に配置されたものであり、二次元結晶構造を有する二次元物質層と、を含み、前記二次元物質層は、前記ソース領域上に配置された第1二次元物質層を含み、前記金属層は、前記第1二次元物質層上に配置されたソース電極を含み、前記二次元物質層は、前記ドレイン領域上に配置された第2二次元物質層を含み、前記金属層は、前記第2二次元物質層上に配置されたドレイン電極を含む半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L21/28 301R , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 301X , H01L21/28 301B

Fターム (75件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD29 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 4M104HH17 , 4M104HH20 , 5F110AA03 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110GG35 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110HM04 , 5F140AA10 , 5F140BA00 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA10 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH49 , 5F140BJ03 , 5F140BJ11 , 5F140BJ13 , 5F140BJ15 , 5F140BJ16 , 5F140BJ17 , 5F140BJ18 , 5F140BJ25 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (7件)

グラフェンを含む電極構造体及び電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-201265 出願人：三星電子株式会社
光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-237405 出願人：株式会社東芝
導電材料およびこれを用いた電気素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-218680 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (7件)

グラフェンを含む電極構造体及び電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-201265 出願人：三星電子株式会社
光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-237405 出願人：株式会社東芝
導電材料およびこれを用いた電気素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-218680 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Computational Study of Metal Contacts to Monolayer Transition-Metal Dichalcogenide Semiconductors

審査官引用 (1件)

Computational Study of Metal Contacts to Monolayer Transition-Metal Dichalcogenide Semiconductors

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