特許

J-GLOBAL ID：201003005333290713

半導体装置

発明者： 清 水 達 雄 ,  木 下 敦 寛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-055183
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212361
出願日： 2009年03月09日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】半導体または誘電体と、金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化することを可能にするとともに、抵抗を可及的に低くすることを可能にする。【解決手段】半導体膜4aと、半導体膜上に形成された酸化膜6bと、酸化膜上に形成された金属膜12aと、を備え、酸化膜がTi酸化膜であって、酸化膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Os、Ir、Ptから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体膜と、 前記半導体膜上に形成された酸化膜と、 前記酸化膜上に形成された金属膜と、 を備え、 前記酸化膜がTi酸化膜であって、前記酸化膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Os、Ir、Ptから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/82 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/105

FI (12件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/04 C ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 621 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/82 Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 444B

Fターム (103件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD29 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD92 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH17 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F092AC24 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BE25 ,  5F101BA01 ,  5F101BA41 ,  5F101BD34 ,  5F110AA03 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE50 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA10 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ19 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ21 ,  5F140BJ30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電極、SiCの電極及びSiCデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271947   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-333117   出願人：株式会社東芝
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-282057   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置、キャパシタ、および電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-084190   出願人：株式会社東芝