特許

J-GLOBAL ID：201703015861222379

ESD保護方策が組み込まれた放射放出半導体チップ

発明者： レフラー アンドレアス ,  ライラー クリスティアン ,  ブーテンダイヒ ライナー ,  マイヤー トビアス ,  ペーター マティアス
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-023344
公開番号（公開出願番号）：特開2016-146488
特許番号：特許第6173501号
出願日： 2016年02月10日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 窒化物化合物半導体材料系でありpn接合部を有する半導体積層体(2)を有する放射放出半導体チップ(1)であって、 - 意図的に導入された結晶欠陥(4)を有する第1の保護層(3)と、 - 前記第1の保護層(3)よりも高いドープ濃度(n2)を有する第2の保護層(5)であって、2nm〜15nmの範囲内の厚さ(d2)を有し、かつ、前記第1の保護層(3)が、静電放電パルスに対して前記半導体チップ(1)を保護する目的で設けられている、第2の保護層(5)と、 - 放射を生成するための活性ゾーン(7)であって、成長方向(W)において前記第1の保護層(3)の下流に配置されている、活性ゾーン(7)と、 - 前記第2の保護層(5)と前記活性ゾーン(7)との間に配置されている注入層(6)であって、前記注入層(6)のドープ濃度は前記第1の保護層(3)のドープ濃度よりも低い、注入層(6)と、 を備えており、 前記半導体チップ(1)の動作時、結晶欠陥(4)を有する領域における逆方向の前記半導体積層体(2)の電気抵抗が、結晶欠陥(4)の存在しない領域と比較して低く、また、前記第2の保護層(5)が、前記高いドープ濃度によって電流の流れを均一化し、これにより、静電放電パルスが発生した場合、電荷が、結晶欠陥(4)を有する前記領域を介して、均一に分散する形で放散される、 放射放出半導体チップ(1)。

IPC (1件)：

H01L 33/24 ( 201 0.01)

FI (1件)：

H01L 33/24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-079387   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-255664   出願人：豊田合成株式会社