特許
J-GLOBAL ID：201003077333596627

III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
奥野 浩司

奥野 浩司 について

, 
宮崎 敦嗣

宮崎 敦嗣 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-079387
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232485
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させること。【解決手段】ESD層102は、n型コンタクト層101側から第1ESD層110、第2ESD層111、第3ESD層112の3層構造である。第1ESD層110は、Si濃度1×1016〜5×1017/cm3 、厚さ200〜1000nmピット密度1×108 /cm2 以下のn-GaNである。第2ESD層111は、厚さ50〜200nm、ピット密度2×108 /cm2 以上のノンドープのGaNである。第3ESD層112は、Si濃度(/cm3 )と膜厚(nm)の積で定義される特性値が0.9×1020〜3.6×1020(nm/cm3 )のn-GaNである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型コンタクト層と発光層との間にESD層を有したIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記ESD層は、n型コンタクト層側から順に、第1ESD層、第2ESD層、第3ESD層が積層された構造であって、 前記第1ESD層は、前記発光層側の表面に1×108 /cm2 以下のピットが形成され、厚さが200〜1000nm、Si濃度が1×1016〜5×1017/cm3 のGaNからなり、 前記第2ESD層は、前記発光層側の表面に2×108 /cm2 以上のピットが形成され、厚さが50〜200nm、キャリア濃度が5×1017/cm3 以下のGaNからなり、 前記第3ESD層は、Si濃度(/cm3 )と膜厚(nm)の積で定義される特性値が0.9×1020〜3.6×1020(nm/cm3 )のGaNからなる、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/02
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01L33/00 100
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041AA23 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (4件)
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